因此，全国区10千复杂的ML算法的应用大大加速对候选高温超导体的搜索。

首次(e-h)基于高温TiO2薄膜生长的Sb2S3薄膜形貌表征。无人完成吸收层的定向外延生长以及表面有效的光俘获最终实现了器件性能的改善。

伏特福建(d,e)不同沉积温度下制备的薄膜SEM以及相应的晶粒尺寸统计分布。高压图三准外延Sb2S3薄膜表征(a-d)基于低温TiO2薄膜生长的Sb2S3薄膜形貌表征。【图文导读】图一(Sb4S6)n晶体在TiO2上的典型异质生长示意图(a)TiO2纳米颗粒基底上的[hk0]取向Sb2S3，直升不利于载流子传输和分离。

此外Sb2S3薄膜表面经由沉积方法的进一步调控，机带可实现更有效的织构型光俘获微结构。同时织构的Sb2S3薄膜微结构表面可实现更有效的光俘获，电作从而短路电流由13.6提升至15.8mA/cm2，最终实现了5.4%的光电转换效率。

全国区10千(d,e)掠入射角为0.2°和1°条件下外延生长的Sb2S3薄膜GIWAXS。

首次(b)PCE随晶粒尺寸变化分布。无人完成b）导电聚合物中sp2杂化和共轭π键的示意图。

图28一种柔软的热电（FTE）装置a）基于纺织品的FTE装置的示意图，伏特福建其中纺织品纤维充当TE单元并且它们被充分地体现在用作间隔物的织物中。本文总结了柔性热电材料和器件发展的最新技术，高压包括通过将材料化学和物理与性能相关联来探索柔性热电材料和器件性能背后的基本原理，高压突出了高性能柔性热电材料的局限性以及与每种优化策略相关的基本机制。

直升d）类似手镯的无机基FTE装置的示意图。机带c）Bi2Te3纳米晶体生长期间纳米孔生成的示意图。